真空科技期刊　投稿須知　       (中華民國九十八年九月一日修訂)

台灣真空學會希望藉由「真空科技」的發行，能將豐富的資訊帶給全體會員以及關心真空科技的社會大眾。歡迎您為真空科技期刊撰稿，撰稿時請注意下列約定：

1. 真空科技季刊，專欄計有(1)研究論文、(2)研究短文、(3)技術問答、(4)技術報導、(5)經驗交流、(6)教育講座、(7)人物專訪、(8)工業報導、(9)新知介紹、(10)文獻介紹、(11)國內外新產品介紹、(12)評介、(13)書評、(14)其他。學術研究與技術應用題材皆可，內容力求正確嚴謹，文字須簡明清晰、通俗流暢。研究論文必須為未曾發表過或未投寄在其他刊物之原始(Original)著作，論文刊出後免費寄送作者期刊壹本。作者應負來稿內容所涉之版權，或專利之機密性之責任。來稿如經刊載，作者必須簽屬版權移轉同意書，版權即為本刊所有。
2. 「研究論文」以中文或英文書寫皆可，但「標題」、「作者姓名」及「摘要」須用中、英文並列。稿件之中英文摘要約500-1000字(並以一頁為限)。文章主體包含前言、實驗設計、實驗結果與討論以及結論等段落。稿件中所有文字均以細明體中文或Time New Romam英文為主，其字體大小選12，採雙行行距。撰稿請用A4格式，中英文稿均由左至右橫式打字。上下左右均預留2.54公分(一英吋)的空白，稿件頁數(含圖表)不超過25頁，頁次均以1，2，3，…等阿拉伯數字連續編頁。另請採用統一之SI公制單位發表。文句中引用之外語原文於第一次出現時以()附註，且原文每個字首均須大寫。稿件中之圖、表格及照片應力求清晰，每頁僅繪一個圖形或表格，並標示圖一，圖二..或表一，表二..，以便辨認，其周圍預留適當空白以利製版，其圖表說明單獨放於一頁。其它專欄投稿格式亦參考「研究論文」撰稿之規定。
3. 稿件文末請註明主要參考資料，參考資料之條列格式如下︰

[1] H. K. Kim, H. W. Jong, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 98, 104309 (2005).
[2] D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (John Wiley & Sons, New York, 2006) 3th ed., pp. 50-55.
[3] 林堅楊, 真空科技 22(2), 33 (2009).
[4] 林明獻, 太陽電池技術入門 (全華圖書, 台北, 2007).

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